近日，我国半导体核心装备自主化征程迎来一项重大突破。由中核集团中国原子能科学研究院自主研制的首台串列型高能氢离子注入机（POWER-750H）宣告成功出束，其核心指标已抵达国际先进水平。这一成就标志着我国已全面掌握了该型设备的全链路研发技术，成功攻克了功率半导体制造链条中的又一个关键环节。

在芯片制造的复杂工序中，离子注入机与光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备并称为不可或缺的“四大核心装备”。其中，高能氢离子注入机长期是我国产业链上的薄弱一环，完全依赖国外进口，技术壁垒极高，成为制约战略性产业升级的瓶颈。此次原子能院研制成功的设备，正是破解这一“卡脖子”难题的关键成果。

该突破的深远意义，在于它源于核技术与半导体产业的深度融合。中国原子能科学研究院依托在核物理加速器领域数十年的深厚技术积淀，创造性地以串列加速器技术为核心，经过持续攻关，最终完全掌握了从底层原理到整机集成的正向设计能力，彻底打破了国外企业的长期技术封锁与市场垄断。

这台名为POWER-750H的注入机成功出束，不仅为功率半导体等关键领域的自主可控提供了坚实的装备保障，有力支撑了产业链安全，更是核技术跨界赋能高端制造业的典范。它为我国加快形成新质生产力、推动产业升级注入了强劲动能，也为实现“双碳”目标提供了前沿的技术支撑方案。